国内外研究现状和发展动态
新材料的开发与应用是科技进步的基石,尤其是在能源与环境领域有着无可替代的重要地位,并已得到政策层面的确认。其中,纳米材料是新材料家族中当之无愧的主角。作为纳米材料家族中的杰出代表,银纳米线及石墨烯等一维和二维纳米材料自问世以来即因其超高的比表面积以及由此而产生的特异性能而备受人们的关注。石墨烯因其高比表面积、导电导热性能极强、成本低、超强亲油、低密度的特性,广泛应用于电极、储能单元、超级电容器、生物传感器、气体传感器、有机污染物或油污的超级吸附材料和催化等研究领域1-6,其研究热度毋庸置疑。银纳米线因具有高比表面积和极高导电能力而成为透明电极中铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,简称ITO)最具潜力的替代材料之一7, 8;同时,银纳米线还具有极高的导热性能,作为导热增强填料具有广泛的应用前景9。此外,银纳米线的高比表面积使它可以方便的被修饰,加之其高导电性,使银纳米线在电化学领域如电极材料、电化学传感器及电催化等方面极具应用潜力10。
银纳米线和石墨烯等纳米材料的应用都要基于一个前提,即充分发挥其高比表面积的特性。但是其高比表面积会产生极高的表面能,使它们产生团聚,从而影响其应用。将它们制备成三维多孔材料能有效地防止团聚,从而保持它们的高比表面特性,充分发挥它们的特性,进而促进它们的应用。此外,石墨烯为由碳原子组成的高度共轭体系,存在限域效应,虽然石墨烯内部的导热导电性能都极强,但石墨烯片与片之间的导热导电不佳11。银纳米材料不存在限域效应,热和电均能顺利地在银纳米材料的边缘进行传递,因此将银纳米材料与石墨烯构建成复合材料能有效地解决石墨烯片之间的传热和导电问题12。但目前尚未见石墨烯/金属纳米线三维有序多孔材料的报导。
在将纳米材料构筑成三维器件时,应尽可能提高三维器件的比表面和孔隙率,以充分发挥纳米材料高比表面的特性以及由此带来的各种特异性能。目前构筑成三维纳米器件的主要方法包括两大类:即从前驱体通过水热法、溶剂热法、模板法和微乳液法等方法,由原子(分子)自组装得到三维纳米器件13。该方法得到的三维纳米器由原子(分子)直接构成,而不是由零维、一维或二维纳米材料构建而成,也就不具备低维纳米材料的特性,而只呈现三维纳米材料的特性。另一类方法是通过静态模态法由低维纳米材料组装构成三维纳米器件,基本的过程为将低维纳米材料在确定的模板上沉积,再除去模板得到三维纳米器件,该方法可以在三维纳米器件中保持低维纳米材料的特性,而其难点在于难以找到合适的模板材料,更难以实现低维纳米材料在三维的模板上沉积。
冷冻铸造(freeze casting)是近年来兴起的一种由粉体材料制备三维有序多孔结构的新方法14, 15。如下图所示:含粉体材料的固液混合物中的液体(通常为水,也可以是其他液体)在确定的一端被冷却而凝固而产生冰晶,冰晶有序定向生长,将混合物中的粉末挤到冰晶界面上构成三维结构,经过冻干并烧结后即可得到三维有序多孔结构。因冰晶定向生长,相对前述静态模板法,冷冻铸造也可称为动态模板法。其优点是方法简单,可保持低维材料的特性,结构可调等。目前已有通过冷冻铸造制备基于石墨烯、碳纳米管的三维材料的报导。
图1 冷冻铸造示意图
在冰晶定向生长过程中,细小的粉末由于其体积小,对冰晶生长的阻力很小,将被冰晶挤开,形成开放的通道;二维的石墨烯对冰晶生长的阻力较大,会被挤开形成开放的通道,或完全阻止冰晶的定向生长,使通道被阻断。一维的银纳米线对冰晶生长有一定阻力,又有较长的长度,将不能完全阻止冰晶的生长,而有可能被横向嵌在冰晶中,两端固定在被冰晶推挤而形成的壁上,在冰晶被除去后,形成内部互联的三维多孔结构,其中的银纳米线可完全暴露在孔道中,有利于发挥银纳米线的特性。因此,将银纳米线与石墨烯经冷冻铸造制备成三维有序多孔材料,将能充分发挥银纳米线与石墨烯的优异特性并克服他们的不足,获得性能优异的三维有序多孔纳米器件,促进其应用。此即本项目拟实现的主要研究目标。
此外,相变材料是一种可以提高能源利用效率,解决热能供给与使用在时间与空间上不匹配的问题的新型能源材料,但是目前存在需提高导热性能,解决封装问题的不足16。为此,本项目将在获得银纳米线/石墨烯三维有序多孔材料的基础上,将有机相变材料担载于有序多孔材料内获得高导热的定形相变材料,促进相变材料的应用。
参考文献
1. 谢青, 田佳瑞, 何宫樊, 和冲冲, 康辉, 魏小波, 孙久铭, 骞伟中, 张强 and 魏飞, 储能科学与技术, 2016, 861-868.
2. 雷颖, 杨蓉, 王黎晴, 李兰, 杨文宇, 苏香香 and 路蕾蕾, 化学通报, 2017, 802-808.
3. 于小雯, 盛凯旋, 陈骥, 李春 and 石高全, 化学学报, 2014, 319-332.
4. 闻雷, 陈静, 罗洪泽 and 李峰, 科学通报, 2015, 630-644.
5. 孙赛楠, 于飞, 刘凡, 韩生 and 马杰, 现代化工, 2015, 32-36.
6. Z. Xu, H. Y. Sun, X. L. Zhao and C. Gao, Adv Mater, 2013, 25, 188-193.
7. 朱瑞, 量子电子学报, 2014, 128.
8. 张楷力, 堵永国 and 王震, 贵金属, 2016, 68-75.
9. A. Munari, X. Ju, E. Dalton, A. Mathewson and K. M. Razeeb, in Electronic Components and Technology Conference, 2009. ECTC 2009. 59th, 2009, pp. 448-452.
10. 苗智颖, 秦霞, 邵学广 and 陈强, 纳米技术与精密工程, 2016, 342-347.
11. H. Sohn, Y. S. Woo, W. Shin, D.-J. Yun, T. Lee, F. S. Kim and J. Hwang, Appl Surf Sci, 2017, 419, 63-69.
12. K. Bindumadhavan, P.-Y. Chang and R.-a. Doong, Electrochim Acta, 2017, 243, 282-290.
13. 孙社稷 and 樊慧庆, 电子元件与材料, 2017, 62-66.
14. 张勋, 刘书海 and 肖华平, 材料导报, 2017, 99-112.
15. H. Zhang and A. I. Cooper, Adv Mater, 2007, 19, 1529-1533.
16. 汪意, 杨睿, 张寅平 and 王馨, 储能科学与技术, 2013, 362-368.
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